[实用新型]单晶硅炉控制装置无效
| 申请号： | 200620117926.X | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN2913393Y | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张志新;王军;安桂正 | 申请（专利权）人： | 北京京运通真空设备厂 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 闫立德 |
| 地址： | 101113北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单晶硅炉控制装置，包括：中央处理器、温度控制器、温度传感器、熔体温度器、晶体拉速控制器、晶体跟踪控制器、晶体直径传感器和功率控制器。其中，中央处理器连接所述的温度控制器、晶体直径传感器和晶体拉速控制器，所述的晶体拉速控制器与晶体跟踪控制器相连，所述的晶体直径传感器与熔体温度器相连，另外，所述的温度控制器还与温度传感器相连，所述的温度传感器再与熔体温度器相连，所述的熔体温度器再与功率控制器相连，所述的功率控制器再与温度控制器相连，该实用新型的优点是：显著改进单晶硅制备的生产效率和极大地提高硅单晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 控制 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅炉控制装置，其特征在于包括：中央处理器、温度控制器、温度传感器、熔体温度器、晶体拉速控制器、晶体跟踪控制器、晶体直径传感器和功率控制器，其中，中央处理器连接所述的温度控制器、晶体直径传感器和晶体拉速控制器，所述的晶体拉速控制器与晶体跟踪控制器相连，所述的晶体直径传感器与熔体温度器相连，另外，所述的温度控制器还与温度传感器相连，所述的温度传感器再与熔体温度器相连，所述的熔体温度器再与功率控制器相连，所述的功率控制器再与温度控制器相连。
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