[实用新型]电压控制晶体管和横向扩散金属氧化物半导体晶体管无效
| 申请号： | 200620122164.2 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN200990379Y | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 蒋秋志;黄志丰 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种电压控制晶体管以及横向扩散金属氧化物半导体晶体管。该电压控制晶体管利用位于漏极端子与辅助区域之间的寄生电阻器，达到自驱动的目的。所述寄生电阻器形成于准连接深N型阱中的两个耗尽边界之间。当所述两个耗尽边界夹止时，栅极端子处的栅极电压电位将被维持在所述漏极端子处的漏极电压电位。由于将所述栅极电压电位设计为等于或高于启动阈值电压，所以所述晶体管将相应地导通。此外，制造所述寄生电阻器不需要额外的晶粒空间和掩模工艺。此外，本实用新型的所述寄生电阻器不会降低所述晶体管的击穿电压和操作速度。另外，当所述两个耗尽边界夹止时，所述栅极电压电位不会回应所述漏极电压电位的增加而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 控制 晶体管 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种电压控制晶体管，其特征在于其包括电压控制端子、源极端子和漏极端子；其中不连续的极性分布结构形成于所述漏极端子与所述电压控制端子之间；所述电压控制端子连接到与所述漏极端子具有相同掺杂极性的辅助区域；准连接掺杂区域连接所述电压控制晶体管的漏极区域域与所述辅助区域；其中所述准连接掺杂区域具有由漏极电压电位控制的两个耗尽边界。
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