[实用新型]强化的微机电封装结构无效
| 申请号： | 200620123025.1 | 申请日： | 2006-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN2935473Y | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吴万华;庞思全 | 申请（专利权）人： | 矽格股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/31;H01L23/488;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种强化的微机电封装结构，该微机电封装结构是在完成焊线制造工序后及进行压模制造工序前，增加一道覆胶制造工序，用保护胶体包覆微机电芯片、驱动芯片、引线及部分导线架，使微机电结构多一层保护，改善熟知的微机电封装时结构容易断裂的问题，得到尺寸小且结构强化的封装体。 | ||
| 搜索关键词： | 强化 微机 封装 结构 | ||
【主权项】：
1、一种强化的微机电封装结构，其特征在于，包括：一导线架；一微机电芯片，其与所述导线架通过引线形成电性连接；一驱动芯片，其与所述微机电芯片及所述导线架间分别通过引线形成电性连接；一保护胶体，其包覆所述微机电芯片、所述驱动芯片、所述引线及所述导线架；一封装胶体，其包覆所述保护胶体、所述微机电芯片及所述导线架。
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