[实用新型]太阳能电池薄膜无效
申请号: | 200620139361.5 | 申请日: | 2006-12-08 |
公开(公告)号: | CN200990381Y | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 曹正尚 | 申请(专利权)人: | 曹正尚 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/06 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王燕秋 |
地址: | 台湾省台北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种太阳能电池薄膜,其包含有:一基材;一第一导电层,以真空磁控溅射于基材的一表面;一主吸收层,以真空磁控溅射于第一导电层的一表面;一缓冲层,以化学浴沉积法镀于主吸收层的一表面;一第二导电层,以真空磁控溅射于缓冲层的一表面;一电极层,以真空磁控溅射于第二导电层的一表面。由此,本实用新型可有效地降低各镀膜的厚度并能使各镀膜更均匀的分布于各表面,增进太阳能电池的效能。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 薄膜 | ||
【主权项】:
1、一种太阳能电池薄膜,其特征在于包含有:一基材;一第一导电层,以真空磁控溅射于所述基材的一表面;一主吸收层,以真空磁控溅射于所述第一导电层的一表面;一缓冲层,以化学浴沉积法镀于所述主吸收层的一表面:一第二导电层,以真空磁控溅射于所述缓冲层的一表面;一电极层,以真空磁控溅射于所述第二导电层的一表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的