[实用新型]一种低噪声放大器无效
申请号: | 200620147809.8 | 申请日: | 2006-10-27 |
公开(公告)号: | CN201107848Y | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 大卫·布拉德伯里 | 申请(专利权)人: | 泽泰克斯半导体公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26 |
代理公司: | 宁波诚源专利事务所有限公司 | 代理人: | 徐雪波 |
地址: | 英国兰开夏州奥海*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 一种低噪声放大器(LNA),包括:多个用来处理放大器接收到的信号的FET;用于接收电能以运行该低噪声放大器的电源输入;以及单片支持集成电路(IC),其中所述的单片支持集成电路(IC)包括:FET控制电路:用于监视和控制每个FET的漏极电流,FET选择电路:用于检测提供给电源输入的电压信号中的直流分量电平,并根据所检测到的直流分量电平把相应的FET选择信号提供给FET控制电路,FET控制电路响应FET选择信号使选中的两个FET中的一个失效;连接到电源输入端并能从电源输入的电压信号中产生整形的输出电压的电压调整电路;以及负电压发生器电路,连接到稳压电路输出的整形电压,从该整形电压中产生负电压,并把该负电压提供给FET控制电路,从而让FET控制电路能向FET提供驱动栅极的负电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 低噪声放大器 | ||
【主权项】:
1. 一种低噪声放大器(LNA),包括:多个用来处理放大器接收到的信号的FET;用于接收电能以运行该低噪声放大器的电源输入;以及单片支持集成电路(IC);其特征在于所述的单片支持集成电路(IC)包括:FET控制电路:用于监视和控制每个FET的漏极电流,FET选择电路:用于检测提供给电源输入的电压信号中的直流分量电平,并根据所检测到的直流分量电平把相应的FET选择信号提供给FET控制电路,FET控制电路响应FET选择信号使选中的两个FET中的一个失效;连接到电源输入端并能从电源输入的电压信号中产生整形的输出电压的电压调整电路;以及负电压发生器电路,连接到稳压电路输出的整形电压,从该整形电压中产生负电压,并把该负电压提供给FET控制电路,从而让FET控制电路能向FET提供驱动栅极的负电压。
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