[实用新型]低压降高取光LED电极无效
| 申请号： | 200620158556.4 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN200983371Y | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;徐晨;朱彦旭;刘莹;韩金茹;邹德恕 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型属于光电子器件制造技术领域，具体涉及半导体发光二极管的电极结构。低压降高取光LED电极，其结构包括：半导体基底(1)，欧姆接触层(2)，透明电流扩展层(3)，压焊电极(4)；欧姆接触层与半导体基底接触，覆盖在半导体基底的上面；透明电流扩展层覆盖在欧姆接触层上面；压焊电极位于透明电流扩展层(3)上面；欧姆接触层(2)为一种带有通孔(5)的导电膜(6)；透明电流扩展层(3)通过欧姆接触层(2)的通孔(5)与半导体基底(1)接触。本实用新型解决了传统金属欧姆接触层吸光大的问题，增加了电极的取光效率；降低了传统透明导电氧化物接触层电极驱动电压，获得了低的LED驱动电压。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 降高取光 led 电极 | ||
【主权项】：
权利要求书1、低压降高取光LED电极，其结构至少包括：半导体基底(1)、欧姆接触层(2)、透明电流扩展层(3)、压焊电极(4)；欧姆接触层(2)与半导体基底(1)接触，覆盖在半导体基底(1)的上面；透明电流扩展层(3)覆盖在欧姆接触层(2)上面，压焊电极(4)位于透明电流扩展层(3)的上方；其特征在于：欧姆接触层(2)为一种带有的通孔(5)的导电膜(6)；透明电流扩展层(3)通过欧姆接触层(2)的通孔(5)与半导体基底(1)接触。
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