[发明专利]Ⅲ族氮化物结晶的制造方法以及制造装置有效
| 申请号： | 200680000230.1 | 申请日： | 2006-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1954101A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 岩田浩和;皿山正二;福田实;高桥哲也;高桥彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种III族氮化物结晶的制造方法，该方法在保持有包含III族金属、碱金属和氮的熔融液的保持容器内使晶种生长，包括：使上述晶种与上述熔融液接触的步骤、在接触上述熔融液的状态下将上述晶种的环境设定为偏离结晶生长条件的第1状态的步骤、增加上述熔融液中的氮浓度的步骤、和上述熔融液的氮浓度达到适合使上述晶种结晶生长的浓度时将上述晶种的环境设定为适合结晶生长条件的第2状态的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 结晶 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物结晶的制造方法，该方法在保持有包含III族金属、碱金属和氮的熔融液的保持容器内在晶种上进行结晶生长，包括：使上述晶种与上述熔融液接触的步骤、在接触上述熔融液的状态下将上述晶种的环境设定为偏离结晶生长条件的第1状态的步骤、提高上述熔融液中的氮浓度的步骤、和上述熔融液的氮浓度达到适合使上述晶种结晶生长的浓度时，将上述晶种的环境设定为适合结晶生长条件的第2状态的步骤。
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