[发明专利]垂直氮化镓半导体器件和外延衬底有效
| 申请号： | 200680000348.4 | 申请日： | 2006-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1969388A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 桥本信;木山诚;田边达也;三浦广平;樱田隆 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/47;H01L21/205;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×1018cm－3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 氮化 半导体器件 外延 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种垂直的氮化镓半导体器件，布置有：n-型导电性的氮化镓支撑基体；在所述氮化镓支撑基体的主表面上设置的n-型导电性的氮化镓外延膜；在所述氮化镓外延膜上设置的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上设置的栅电极；在所述氮化镓外延膜中设置的p-型导电区；在所述p-型导电区中设置的n-型导电区；在所述氮化镓外延膜的所述n-型导电区上设置的源电极；以及在所述氮化镓支撑基体的背面上设置的漏电极；其特征在于：在所述氮化镓支撑基体和所述氮化镓外延膜的表面中设置层区，其中沿从所述氮化镓支撑基体至所述氮化镓外延膜的轴的施主杂质的浓度是1×1018cm-3或以上，以及所述施主杂质是硅和锗中的至少一个。
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