[发明专利]等离子体处理方法无效
| 申请号： | 200680001118.X | 申请日： | 2006-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101053071A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 小林岳志;古井真悟;北川淳一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H05H1/46;H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 从微波发生装置(39)经由匹配电路(38)将脉冲状的微波导入波导管(37)，经由内导体(41)供给到平面天线部件(31)，从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)中的晶片(W)的上方空间。利用从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)的脉冲状的微波在腔室(1)内形成电磁场，使Ar气体、H2气体、O2气体等离子体化而对晶片(W)进行氧化膜的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，其特征在于：其是在等离子体处理装置的处理室内通过对被处理体作用等离子体，而使硅氧化并形成氧化硅膜的等离子体处理方法，其中，所述等离子体利用脉冲状的电磁波而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
