[发明专利]溅射装置和成膜方法无效

专利信息
申请号: 200680001790.9 申请日: 2006-01-17
公开(公告)号: CN101098980A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 菊地幸男;森田正 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/06;H01F41/18;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 陆弋;宋志强
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种溅射装置,围绕旋转轴线使圆盘状衬底旋转的同时,对该衬底的衬底表面进行成膜处理,其特征在于,该装置包括,腔室;台子,以所述旋转轴线为中心使该衬底旋转;溅射阴极,其具有与所述衬底对置的阴极表面;其中,当从所述旋转轴线到所述衬底的外周边缘部的距离为R,从所述旋转轴线到所述阴极表面的中心点的距离为OF,从所述衬底表面到所述阴极表面的中心点的高度为TS时,大概满足R∶OF∶TS=100∶175∶190±20的关系,同时,所述旋转轴线与通过所述阴极表面的中心点的法线交叉,其交叉角度满足22°±2°的关系。
搜索关键词: 溅射 装置 方法
【主权项】:
1、一种溅射装置,围绕旋转轴线使圆盘状衬底旋转的同时,对该衬底的衬底表面进行成膜处理,其特征在于,该装置包括:腔室,在其内部形成有溅射处理室;台子,设置在所述腔室的第1区域,用于将所述衬底表面朝向所述溅射处理室内的状态下保持所述衬底,同时以所述旋转轴线为中心使该衬底在与所述衬底表面平行的面内旋转;溅射阴极,其设置在所述腔室的第2区域中从所述旋转轴线相离的位置,具有在所述溅射处理室中与所述衬底对置的阴极表面,所述第2区域隔着所述溅射处理室位于所述第1区域的相反侧;其中,当从所述旋转轴线到所述衬底的外周边缘部的距离为R,从所述旋转轴线到所述阴极表面的中心点的距离为OF,从所述衬底表面到所述阴极表面的中心点的高度为TS时,大概满足R∶OF∶TS=100∶175∶190±20的关系,同时,所述旋转轴线与通过所述阴极表面的中心点的法线交叉,其交叉角度满足22°±2°的关系。
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