[发明专利]功能元件和氧化物材料形成方法有效
| 申请号： | 200680001819.3 | 申请日： | 2006-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN101099227A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 一杉太郎;古林宽;长谷川哲也;广濑靖;笠井淳平;守山实希 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社;财团法人神奈川科学技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;C23C14/08;C23C14/28;C30B29/16;G02F1/09;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苗堃;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明鉴于目前正期待着适用范围大的透明电极材料以及磁性材料这一状况，提供具有新特性的功能元件和氧化物材料形成方法。所述的功能元件具有AlxGayInzN和在所述AlxGayInzN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述金属氧化物为TiO2。根据本发明，可以得到在具有优异的物理化学性质的3族氮化物上一体形成的在界面的反射少、兼具耐化学品性和耐久性膜而构成的功能元件。 | ||
| 搜索关键词： | 功能 元件 氧化物 材料 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功能元件，其特征在于：具有AlxGayInzN和在所述AlxGayInzN上形成、含有金属氧化物的氧化物材料，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；所述金属氧化物为TiO2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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