[发明专利]卷绕式等离子CVD装置有效
申请号: | 200680001884.6 | 申请日: | 2006-05-10 |
公开(公告)号: | CN101098981A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 广野贵启;多田勋;中塚笃;菊池正志;小形英之;川村裕明;斋藤一也;佐藤昌敏 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 何腾云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置,能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化,在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向,在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34),将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间,使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样,可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置,使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭,防止自清洗气体漏出,可进行成膜过程中的自清洗。 | ||
搜索关键词: | 卷绕 等离子 cvd 装置 | ||
【主权项】:
1.一种卷绕式等离子CVD装置,一边使薄膜在真空室内移动一边通过等离子CVD在该薄膜上进行成膜,其特征在于,具有上游辊和下游辊,该上游辊和下游辊相对于上述薄膜的移动方向分别配置在成膜位置的上游侧和下游侧,使上述薄膜在上述成膜位置大致沿直线移动;在上述成膜位置上,配置着高频电极、相向电极和气体供给机构;上述高频电极与上述薄膜的成膜面相向,并与高频电源连接着;上述相向电极配置在上述薄膜的成膜面的背面侧;上述气体供给机构将原料气体供给到上述薄膜的成膜面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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