[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200680002145.9 | 申请日： | 2006-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101103502A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 山本刚司 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光装置(A)，包括：基座(1A)，固定在该基座上的块体(1B)，以及设置在该块体上的半导体激光元件(2)。半导体激光装置(A)还包括贯通基座(1A)并且与半导体激光元件(2)导通的引线(4A)。在基座(1A)的上面，固定有构成为包围半导体激光元件(2)和引线(4A)的一端部的罩(5)。在罩(5)上，形成有在从半导体激光元件(2)射出的激光的射出方向上插通的开口(5d)。因此，罩(5)成为在所述激光的射出方向上开放的构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，其特征为，包括：基座；固定在所述基座上的块体；设置在所述块体上的半导体激光元件；贯通所述基座并且与所述半导体激光元件导通的引线；以及固定在所述基座上并且构成为包围所述半导体激光元件和所述引线的一端部的罩，其中，在所述罩上形成有在从所述半导体激光元件射出的激光的射出方向上插通的开口，所述罩形成为在所述射出方向上开放的结构。
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