[发明专利]TFT阵列基板检查装置无效
| 申请号： | 200680002471.X | 申请日： | 2006-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101107534A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 篠原真 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01N23/225;G01N21/956;G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的TFT阵列基板检查装置(1)包括：驱动状态检测装置(例如是，具备电子束源(2)与二次电子检测器(5)的单元，或是具备电子束源(12)与二次电子检测器(15)的单元，或是具备光源(22)与光检测器(25)的单元，亦或是具备光源(32)与光检测器(35)的单元)，用以检测TFT阵列基板(10)的晶体管的驱动状态。并包括：晶体管特性变化装置(可视光照射装置(4)、加热器(14)、电磁波加热装置(24)、加热器(34))，用以改变构成TFT阵列基板(10)的晶体管的特性。更包括：检查装置(6、16、26、36)，由上述驱动状态检测装置的输出，检查上述晶体管的特性产生变化状态的上述TFT阵列基板(10)的驱动状态。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 检查 装置 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板检查装置，其包括：驱动状态检测装置，检测上述TFT阵列基板的晶体管的驱动状态；晶体管特性变化装置，其使构成上述TFT阵列基板的硅的晶体管特性产生变化；以及检查装置，借由上述检测器的输出，对上述晶体管特性变化后状态的上述TFT阵列基板的驱动状态进行检查。
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