[发明专利]Ⅲ/Ⅴ半导体无效
| 申请号： | 200680003007.2 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101268592A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | B·库纳特;J·科克;S·赖恩哈德;K·沃茨;W·斯托尔茨 | 申请（专利权）人： | 马尔堡菲利普斯大学 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;陈景峻 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及包含基于掺杂Si或掺杂GaP的载体层和安排在所述载体层上并含有成分Gaxlny－NaAsbPcSbd的III/V半导体的单片集成半导体结构，其中x＝70－100摩尔％，y＝0－30摩尔％，a＝0.5－15摩尔％，b＝67.5－99.5摩尔％，c＝0－32.0摩尔％，以及d＝0－15摩尔％。根据本发明，x和y总是合计为100摩尔％，且a、b、c和d总是合计为100摩尔％。x和y的总和与a、b、c和d的总和之比基本上等于1∶1。本发明还涉及用于产生所述半导体结构的方法，并涉及用其来产生被单片集成到基于Si或GaP技术的集成电路中的发光二极管和激光二极管，或调制器和检测器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 | ||
【主权项】：
1. 一种单片集成半导体结构，包括以下层结构：A)基于掺杂或未掺杂Si或GaP的载体层，B)作为选择，由掺杂Si、掺杂GaP或掺杂(AlGa)P组成的第一电流传导层，C)作为选择，第一适应层，以及D)包含由具有成分GaxInyNaAsbPcSbd的III/V半导体形成的半导体层的旋光元件，其中，x＝70-100摩尔％，y＝0-30摩尔％，a＝0.5-15摩尔％，b＝67.5-99.5摩尔％，c＝0-39.5摩尔％和d＝0-15摩尔％，其中x和y的总和始终是100摩尔％，其中a、b、c和d的总和始终是100摩尔％，并且其中一方面x和y的总和与另一方面a至d的总和之比基本上是1∶1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马尔堡菲利普斯大学，未经马尔堡菲利普斯大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680003007.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
