[发明专利]功率金氧半导体组件

摘要

本发明提供一种功率金氧半导体组件，包含一漏极、一设置于该漏极上的基体，其具有一基体顶表面、内嵌于基体中之一源极，其从基体顶表面向下延伸至基体中、一栅极沟槽，其穿过源极及基体并延伸至漏极中，在栅极沟槽中设置有一栅极、连接沟槽的一源极基体，其具有一沟槽壁及沿着沟槽壁设置的一反穿透植入区域。一种制造半导体装置的方法，包括在基板上形成一具有顶层基本表面之硬屏蔽，在基板内形成一栅极沟槽，而在栅极沟槽中穿过硬屏蔽沉积有栅极材料，将硬屏蔽移除留下一栅极结构，形成一源极基体，其连接具有沟槽壁之沟槽，并形成一反穿透植入区域。

主权项

1.一种金氧半导体组件，包括：一漏极；一基体，其是设置于该漏极上方，该基体具有一基体顶表面；一源极，其是内嵌于该基体中，从该基体顶表面向下延伸至该基体中；一栅极沟槽，其是穿过该源极及该基体而延伸至该漏极中；一栅极，其是设置于该栅极沟槽中；以及一源极基体接触沟槽，其具有一沟槽壁及一反穿透植入区域，该源极基体接触沟槽是沿着该沟槽壁设置。