[发明专利]半导体器件和制造它的方法有效
申请号: | 200680003335.2 | 申请日: | 2006-01-18 |
公开(公告)号: | CN101111938A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 鹤目卓也 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 段晓玲;韦欣华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供具有足以用作天线的导电膜的半导体器件,和制造它的方法。半导体器件具有设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层,设置在元件形成层上的绝缘膜,和设置在绝缘膜上的用作天线的导电膜。绝缘膜具有槽。导电膜沿绝缘膜和槽的表面设置。绝缘膜的槽可被设置穿过绝缘膜。或者,可在绝缘膜中设置凹形部分以便不穿过绝缘膜。对槽的结构没有特殊限制,例如,可设置槽具有锥形形状等。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层;设置在元件形成层上的绝缘膜,其中在绝缘膜中设置槽;天线,包括电连接到晶体管上的导电膜;和设置在导电膜上的保护膜,其中导电膜设置在绝缘膜的至少槽上,使得具有凹形横截面形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的