[发明专利]垂直磁性记录介质,该介质的制造过程以及垂直磁性记录和再现装置有效

专利信息
申请号: 200680003467.5 申请日: 2006-01-31
公开(公告)号: CN101111889A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 高桥研;冈正裕;喜喜津哲 申请(专利权)人: 国立大学法人东北大学;昭和电工株式会社;株式会社东芝
主分类号: G11B5/667 分类号: G11B5/667;G11B5/738;G11B5/82;G11B5/84;G11B5/852;H01F10/26
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;李峥
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种垂直磁性记录介质,其能够实现信息的高密度记录和再现,及其制造过程,以及磁性记录和再现装置。所提供的垂直磁性记录介质至少具有软磁性底层和位于盘形非磁性基底上的垂直磁性记录层,其中该软磁性底层具有至少两个软磁性层和位于两个软磁性层之间的Ru或Re层;该软磁性底层的易磁化轴具有希望的方向;该软磁性底层的易磁化轴基本上沿着除了非磁性基底的径向之外的方向分布,并且沿着该软磁性底层的易磁化轴方向的反铁磁性耦合的偏磁场为10奥斯特(790A/m)或更大。
搜索关键词: 垂直 磁性 记录 介质 制造 过程 以及 再现 装置
【主权项】:
1.一种垂直磁性记录介质,包括盘形非磁性基底,位于该盘形非磁性基底上的软磁性底层,其包括至少两个软磁性层和位于所述两个软磁性层之间的Ru或Re层,以及垂直磁性记录层;其中,所述软磁性底层的易磁化轴具有希望的方向,并且基本上沿着除了所述非磁性基底的径向之外的方向分布,并且沿着所述软磁性底层的易磁化轴方向的反铁磁性耦合的偏磁场为10奥斯特(790A/m)或更大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东北大学;昭和电工株式会社;株式会社东芝,未经国立大学法人东北大学;昭和电工株式会社;株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680003467.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top