[发明专利]垂直磁性记录介质,该介质的制造过程以及垂直磁性记录和再现装置有效
申请号: | 200680003467.5 | 申请日: | 2006-01-31 |
公开(公告)号: | CN101111889A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 高桥研;冈正裕;喜喜津哲 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;昭和电工株式会社;株式会社东芝 |
主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667;G11B5/738;G11B5/82;G11B5/84;G11B5/852;H01F10/26 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种垂直磁性记录介质,其能够实现信息的高密度记录和再现,及其制造过程,以及磁性记录和再现装置。所提供的垂直磁性记录介质至少具有软磁性底层和位于盘形非磁性基底上的垂直磁性记录层,其中该软磁性底层具有至少两个软磁性层和位于两个软磁性层之间的Ru或Re层;该软磁性底层的易磁化轴具有希望的方向;该软磁性底层的易磁化轴基本上沿着除了非磁性基底的径向之外的方向分布,并且沿着该软磁性底层的易磁化轴方向的反铁磁性耦合的偏磁场为10奥斯特(790A/m)或更大。 | ||
搜索关键词: | 垂直 磁性 记录 介质 制造 过程 以及 再现 装置 | ||
【主权项】:
1.一种垂直磁性记录介质,包括盘形非磁性基底,位于该盘形非磁性基底上的软磁性底层,其包括至少两个软磁性层和位于所述两个软磁性层之间的Ru或Re层,以及垂直磁性记录层;其中,所述软磁性底层的易磁化轴具有希望的方向,并且基本上沿着除了所述非磁性基底的径向之外的方向分布,并且沿着所述软磁性底层的易磁化轴方向的反铁磁性耦合的偏磁场为10奥斯特(790A/m)或更大。
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