[发明专利]利用低VOC硅烷的填料处理有效
| 申请号： | 200680004383.3 | 申请日： | 2006-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101124274A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 基思·韦勒 | 申请（专利权）人： | 莫门蒂夫功能性材料公司 |
| 主分类号： | C08K9/06 | 分类号： | C08K9/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种处理填充材料的方法，其包括使填充材料与硅烷接触，所述硅烷在水解时产生硅烷的含硅水解产物和/或基本不产生显著量的挥发性有机化合物，从而提供处理过的填料，然后可将该处理过的填料引入到基质内以提供复合体。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 voc 硅烷 填料 处理 | ||
【主权项】：
1.一种处理填充材料的方法，其包括使填充材料与硅烷接触，所述硅烷在水解时产生硅烷的含硅水解产物和/或基本不产生显著量的挥发性有机化合物，从而提供处理过的填料。
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