[发明专利]压电元件的制造方法有效
| 申请号： | 200680004807.6 | 申请日： | 2006-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101120455A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 中村友骑;村岛祐二;安见正博;小牧一树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;B41J2/16;H01L41/09;H01L41/18;H01L41/187 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种压电元件的制造方法，其在制造工序过程中，避免发生压电薄膜层受到不希望的电场，从而能够保证较高压电特性，此压电元件的制造方法包含：在基板上顺序积层下部电极层、压电薄膜层以及上部电极层的第一工序；以包含干法刻蚀的刻蚀进行刻蚀处理的第二工序；向下部电极层和上部电极层之间施加电压，进行极化处理的第三工序；单片化处理得到各个压电元件的第四工序，至少在进行所述干法刻蚀时，保持下部电极层和上部电极层之间短路。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压电元件制造方法，包括以下工序：基板上顺序积层下部电极层、压电薄膜层以及上部电极层的第一工序；以包含干法刻蚀的刻蚀进行刻蚀处理的第二工序；向所述下部电极层和所述上部电极层之间施加电压，进行极化处理的第三工序；单片化处理得到各个压电元件的第四工序；其中，至少在进行所述干法刻蚀时，保持所述下部电极层和所述上部电极层之间短路。
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