[发明专利]增强的晶片清洗方法无效
| 申请号： | 200680005277.7 | 申请日： | 2006-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101119810A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 允锡民;J·M·柏依;M·威尔克逊;J·德赖瑞厄斯 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;B08B3/00;B08B1/02;B08B7/04;B08B1/00;A47L15/00;A47L25/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种在如图2D所示的单晶片清洗系统(100－2)中去除后处理残余物的方法。所述方法开始于向设置于衬底(108)之上的近程头(106a－3，106b－3)提供第一被加热流体。之后，在所述衬底的表面和所述近程头的相对表面之间形成所述第一流体的弯月面。使所述衬底在所述近程头下面线性移动。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在单晶片清洗系统中去除后处理残余物的方法，包括：向设置在衬底之上的近程头提供第一流体；加热所述第一流体；在所述衬底的表面和所述近程头的相对表面之间生成所述第一流体的弯月面，以及使所述衬底在所述近程头下面线性移动。
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