[发明专利]氮化物发光器件的反向极化发光区域有效
| 申请号： | 200680005297.4 | 申请日： | 2006-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101160669A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | Y·－C·沈;M·R·克拉默斯;N·F·加德纳 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;刘红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体发光器件包括配置在n型区域和p型区域之间的发光层。发光层可以是具有厚度至少50埃的纤锌矿III－氮化物层。发光层可以具有与常规纤锌矿III－氮化物层反向的极化，以便穿过发光层和p型区域之间的界面，纤锌矿c轴指向发光层。c轴的这种定向可以在p型区域内的界面处或其边缘处产生负的层电荷，给发光层中的电荷载流子提供势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光 器件 反向 极化 区域 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：配置在n型区域和p型区域之间的半导体发光层，其中：发光层包括纤锌矿晶体结构；发光层具有至少50埃的厚度；和穿过配置在发光层和p型区域之间的界面，限定为从III-氮化物晶胞的氮面指向III-氮化物晶胞的镓面的纤锌矿c轴指向发光层。
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