[发明专利]半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路有效

专利信息
申请号: 200680006243.X 申请日: 2006-02-17
公开(公告)号: CN101128929A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 伊藤稔;志村秀吉 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L21/82;H01L27/04;H01L27/08;H01L29/786;H03K17/687;H03K19/0175;H03K19/0185;H03K19/094;H03K19/0948;H03K17/30
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实现半导体集成电路性能的最佳化以及降低消耗功率的半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路。该半导体集成电路、半导体集成电路的控制方法以及信号传输电路中,各个功能电路块(400a至400n)由形成在SOI结构的硅衬底上的MIS晶体管构成,并具有至少一组由高电位端电位、低电位端电位、P沟道MIS晶体管的衬底电位以及N沟道MIS晶体管的衬底电位构成的电位组,多个电源布线对所述电位组所包含的各个电位提供电压,控制器(200)决定分别对所述多个电源布线产生的电压的值,并指示电源控制IC(300)产生所决定的值的电压,电源控制IC(300)基于控制器(200)的指示,分别对所述多个电源布线产生电压。
搜索关键词: 半导体 集成电路 控制 方法 以及 信号 传输 电路
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,由形成在SOI(Silicon On Insulator)结构的硅衬底上的MIS(Metal Insulated Semiconductor)晶体管构成,包括第一逻辑门以及第二逻辑门,所述第一逻辑门将电位差相对小的第一电位组作为电源电压,所述第二逻辑门将电位差相对大的第二电位组作为电源电压,所述半导体集成电路满足所述第一逻辑门的P沟道MIS晶体管的衬底电位等于或高于所述第二逻辑门的P沟道MIS晶体管的衬底电位,和所述第一逻辑门的N沟道MIS晶体管的衬底电位等于或低于所述第二逻辑门的N沟道MIS晶体管的衬底电位的至少其中之一。
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