[发明专利]非易失性存储器装置中的多级编程无效
| 申请号： | 200680006303.8 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101128883A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 李迪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的编程方法通过最初编程存储器区块的下部页面来最小化非易失性存储器装置中的编程扰乱。接着编程所述存储器区块的上部页面。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 中的 多级 编程 | ||
【主权项】：
1.一种用于编程多级非易失性存储器装置的方法，所述多级非易失性存储器装置具有多个存储器单元，所述存储器单元被组织成具有位线列和字线行的多个存储器区块，所述方法包括：最初编程所述多个存储器区块的第一存储器区块的下部页面，使得所述编程在所述第一存储器区块的最下部字线处开始并在上升字线方向上继续；以及编程所述第一存储器区块的上部页面，使得所述编程在所述第一存储器区块的所述最下部字线处开始并在上升字线方向上继续。
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