[发明专利]利用互补金属氧化物半导体技术的天线系统无效
| 申请号： | 200680006479.3 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101133516A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | K·廷斯利;S－Y·徐 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01Q21/00 | 分类号： | H01Q21/00;H01Q9/04;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了装置、系统和方法，用于互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路器件，该器件具有包括辐射单元的第一金属层；以及包括与所述辐射单元耦合的第一导体的第二金属层。所述第一导体和所述辐射单元互相耦合，形成以无线方式传递信号的天线。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 互补 金属 氧化物 半导体 技术 天线 系统 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路器件，该器件具有包括辐射单元的第一金属层；以及包括与所述辐射单元耦合的第一导体的第二金属层；其中所述第一导体和所述辐射单元互相耦合，形成以无线方式传递信号的天线。
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