[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680006603.6 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101133480A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 木下多贺雄 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/285;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供具有高电迁移耐性铜布线的半导体器件。本发明的半导体器件是具有布线层的半导体器件，该布线层是通过在基板上形成的绝缘膜上形成槽或孔，在得到的基板上形成阻挡层，在阻挡层上形成铜晶种层，利用该铜晶种层，通过电镀法形成铜镀敷层，再除去表面的铜镀敷层和铜晶种层形成的，铜晶种层含有具备结晶粒径不同的小晶粒层和大晶粒层的多层，小晶粒层与阻挡层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体器件，其是具有布线层的半导体器件，该布线层是通过在基板上形成的绝缘膜上形成槽或孔，在得到的基板上形成阻挡层，在阻挡层上形成铜晶种层，利用该铜晶种层，通过电镀法形成铜镀敷层，再除去表面的铜镀敷层和铜晶种层形成的，其中，铜晶种层含有具备结晶粒径不同的小晶粒层和大晶粒层的多层，小晶粒层与阻挡层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
