[发明专利]抗蚀剂下层膜用组合物及其制造方法有效
| 申请号： | 200680006646.4 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101133364A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 今野圭二;田中正人;石井桃子;高桥纯一;永井智树 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜用组合物，可形成与抗蚀剂膜的密合性优异，提高抗蚀剂图案再现性和对在显影等中使用的碱液及除去抗蚀剂时的氧灰化具有耐受性的抗蚀剂下层膜，并且该组合物保存稳定性优异。本发明涉及的抗蚀剂下层膜用组合物的特征在于含有下述通式(A)表示的硅烷化合物的水解物和/或其缩合物。Rb1Rc2Si(OR3)4－a...(A)[式中，R1表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R2独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R3独立地表示1价有机基团，R1为OR3基以外的基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c]。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 下层 组合 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.抗蚀剂下层膜用组合物，其特征在于含有下述通式(A)表示的至少一种硅烷化合物的水解物和/或其缩合物，R1 bR2 cSi(OR3)4-a ...(A)式(A)中，R1表示具有至少一个不饱和键的1价有机基团，R2 独立地表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团，R3独立地表示1价有机基团，R1为OR3基以外的基团，a表示1～3的整数，b表示1～3的整数，c表示0～2的整数，且a＝b+c。
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