[发明专利]蚀刻基体的装置与方法无效
| 申请号： | 200680006806.5 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101163823A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | C·施米德 | 申请（专利权）人： | 吉布尔·施密德有限责任公司 |
| 主分类号： | C25F7/00 | 分类号： | C25F7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 德国弗罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 为了改进用蚀刻液对例如在电路板(21)上的线路结构进行的蚀刻，可将蚀刻液以喷雾的形式(17)或相似形式喷到电路板(21)上。通过相应喷射装置(13、14)同直流电源(23)的一极接触，而电路板(21)同直流电源(23)的另一极接触，辅助并特别加速了蚀刻过程。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 基体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.蚀刻基体、尤其是电路板工业中的基体(21、121)的装置，具有将蚀刻液喷到基体上的喷射装置(13、113)，其特征在于，在射束(17、117)或者说喷嘴(15、115)和基体(21、121)之间施加电压。
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