[发明专利]非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 200680007481.2 申请日: 2006-03-07
公开(公告)号: CN101138052A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 岛根幸朗;井上一吉;松原雅人;田中信夫;笘井重和;矢野公规;松崎滋夫 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;C23C14/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及非晶质透明导电膜、靶和非晶质透明导电膜的制造方法。近年来,各种显示装置已被活跃地引入OA设备中,结果显示装置均具有用透明导电膜将显示元件夹入的结构。作为该透明导电膜,ITO膜现在已占了主流,但ITO膜由于在蚀刻中使用强酸,具有对配线产生损害的问题,进行了在低温下使ITO膜进行非晶成膜从而使其可以在弱酸下蚀刻的尝试,但存在在非晶状态下电阻增高等问题。本发明通过使用以下的非晶质透明导电膜作为非晶质透明导电膜等,解决了上述问题:在采用X射线散射测定求出的矢径分布函数(RDF)中,将原子间距离为0.30nm~0.36nm间的(RDF)的最大值记为A,将原子间距离为0.36nm~0.42nm间的(RDF)的最大值记为B时,满足A>B的关系。
搜索关键词: 非晶质 透明 导电 制造 方法
【主权项】:
1.一种非晶质透明导电膜,是以氧6配位的金属氧化物作为主要成分的非晶质透明导电膜,其中,在所述非晶质透明导电膜的采用X射线散射测定求出的矢径分布函数(RDF)中,当将原子间距离为0.30nm~0.36nm间的RDF的最大值记为A,将原子间距离为0.36nm~0.42nm间的RDF的最大值记为B时,满足A/B>1的关系。
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