[发明专利]键合由从半导体材料中选择的材料制成的两片晶片的方法有效

专利信息
申请号: 200680007529.X 申请日: 2006-04-18
公开(公告)号: CN101138071A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 申请(专利权)人: 硅绝缘体技术有限公司
主分类号: H01L21/18 分类号: H01L21/18;H01L21/762;H01L21/306;C30B33/06
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟;迟军
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种将由从半导体材料中选择的材料制成的两片晶片键合在一起的方法,所述方法对要键合在一起的所述两片晶片中的至少一片晶片的表面进行等离子体激活,并且该方法包括以下步骤:在等离子体激活过程中控制激活参数以改变包含在等离子体中的物质的动能,从而在表面被激活的所述晶片的表面区的厚度中产生厚度受控的扰动区。
搜索关键词: 半导体材料 选择 材料 制成 晶片 方法
【主权项】:
1.一种将由从半导体材料中选择的材料制成的两片晶片键合在一起的方法,所述方法对要键合在一起的所述两片晶片中的至少一片晶片的表面进行等离子体激活,并且该方法包括以下步骤:在所述等离子体激活过程中控制激活参数以改变包含在所述等离子体中的物质的动能,从而在表面被激活的晶片的表面区的厚度中产生厚度受控的扰动区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅绝缘体技术有限公司,未经硅绝缘体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680007529.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top