[发明专利]用于生长平坦半极性氮化镓的技术有效
| 申请号： | 200680007694.5 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101138091A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 特洛伊·J·贝克;本杰明·A·哈斯克尔;保罗·T·菲尼;史蒂文·P·登巴尔斯;詹姆斯·S·斯佩克;中村修二 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{1011}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 平坦 极性 氮化 技术 | ||
【主权项】：
1.一种生长氮化物薄膜的方法，其包含：在衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜，其中所述平坦半极性氮化物薄膜是与所述衬底的表面平行生长。
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