[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置及电极形成方法无效
| 申请号： | 200680007935.6 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101138074A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 池田成明;吉田清辉 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种III－V族氮化物系化合物半导体装置，尤其涉及一种在该半导体的n型层上形成低接触电阻的电极的III－V族氮化物系化合物半导体装置，特别是GaN系半导体装置及其电极形成方法。为提供接触电阻率低的电极形成方法及具有此种电极的半导体装置，在III－V族氮化物系化合物半导体的n型层的表面上形成的电极的电极材料中至少使用Ti、Al、Si。特别地，通过在III－V族氮化物系化合物半导体的n型层的表面上形成Ti层，并在Ti层上叠层由Al和Si的混晶相构成的层，能够形成良好的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 装置 电极 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III-V族氮化物系化合物半导体装置，其特征在于，在由III-V族氮化物系化合物半导体构成的n型层的表面上形成的电极材料中至少包含Ti、Al、Si。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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