[发明专利]三轴磁传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200680008060.1 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101203769A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 佐藤秀树;大村昌良;内藤宽;大桥俊幸;涌井幸夫;大须贺千寻 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供的三轴磁传感器，形成有由多个磁阻效应元件条通过偏置磁铁串联连接结构的磁阻效应元件。X轴传感器的磁阻效应元件和Y轴传感器的磁阻效应元件形成在相对衬底平面为平行的平面上。其磁化灵敏度方向为相对各磁阻效应元件条的长度方向为垂直的方向，且X轴传感器的磁阻效应元件和Y轴传感器的磁阻效应元件的磁化方向以相互正交的方式形成。Z轴传感器的磁阻效应元件形成在由衬底平面突出设置着的突出部的斜面上，其磁化方向以位于所述斜面内的方式形成。Z轴传感器的灵敏度方向以相对所述磁阻效应元件条的长度方向为垂直的方向形成。 | ||
| 搜索关键词： | 三轴磁 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三轴磁传感器，在一个衬底内具有灵敏度方向彼此交叉的多个磁阻效应元件，其特征在于：至少一个磁阻效应元件形成在所述衬底上的平面，并且其被钉扎层的磁化方向在所述平面内，至少一个其它磁阻效应元件形成在设置于所述衬底的斜面上，并且其被钉扎层的磁化方向形成在沿所述斜面的面内。
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