[发明专利]SiGe结构的形成和处理

摘要

本发明涉及形成结构(30)的方法，所述结构(30)提供有从施主晶片(10)去除的层(2)，所述施主晶片(10)在去除之前包括第一Si_1－xGe_x层(1)和在第一层(1)上的第二Si_1－yGe_y层(2)(x、y的范围分别是0到1，而且x与y不相等)。所述方法包括：a)注入原子种类，以使得在第二层(2)下形成脆化区(4)，b)将施主晶片(10)键合到接受晶片(20)，c)加热从而在脆化区(4)从施主晶片(10)分离去除层(1’，2)，d)在大约1000℃或者更高的温度执行快速热退火(也称为RTA)等于或少于5分钟的时间，以及e)相对于第二层(2)选择性蚀刻第一层的剩余部分(1’)。

主权项

1.一种形成包括从施主晶片得到的半导体材料的去除层的结构的方法，施主晶片在去除之前包括由Si1-xGex形成的第一层和在第一层上的由Si1-yGey形成的第二层(x、y的范围分别是0到1，而且x与y不相等)，所述方法包括下面的连续步骤：a)注入原子种类，以在第二层下形成弱区；b)将施主晶片键合到接受晶片；c)提供能量，从而在弱区从施主晶片分离去除层；d)在大约1000℃或者更高的温度执行快速热退火不超过5分钟的时间；e)相对于第二层选择性蚀刻第一层的剩余部分。