[发明专利]集成薄膜太阳能电池及其制造方法、及集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法及其结构、及具有处理过的透明电极的透明基板无效
| 申请号： | 200680008251.8 | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101142690A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 林宏树;权圣源;郭中焕;朴相一;尹浚宝;文建又 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京中安信知识产权代理事务所 | 代理人： | 张小娟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及集成薄膜太阳能电池，尤其涉及最小化制造过程所引起的集成太阳能电池的损耗并可通过低成本工序获得的集成薄膜太阳能电池，以及制造该太阳能电池的方法，用于集成薄膜太阳能电池的透明电极的处理方法，其通过最小化集成薄膜太阳能电池的单元电池之间(绝缘)间隙能够加宽有效区域并减少制造成本，以及透明电极的结构，以及具有透明电极的透明基板。制造集成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤：(a)单独在透明基板上形成透明电极图案；(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层；(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极；(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层；和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积金属形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 透明 电极 处理 结构 具有 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成薄膜太阳能电池的方法，包括以下步骤：(a)单独在透明基板上方形成透明的电极图案；(b)在步骤(a)的基板上形成太阳能电池(半导体)层；(c)通过在太阳能电池(半导体)层上倾斜沉积导电材料形成第一后电极；(d)通过将第一后电极作为掩模蚀刻太阳能电池(半导体)层；和(e)通过在步骤(d)的基板上倾斜沉积导电材料形成第二后电极以使透明电极和第一后电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
