[发明专利]用于低K电介质的侧壁孔密封有效
| 申请号： | 200680008967.8 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101164160A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 威廉·费雷德里克·艾德里安勒斯·贝斯令 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用于在集成电路管芯上形成导电互连的双镶嵌工艺。该工艺包括：提供多孔超低k(ULK)电介质材料层(16)，其中随后形成通孔开口(30)。在开口(30)的侧壁上涂敷可热降解聚合物(“生孔剂”)材料(42)，以使生孔剂材料深深地渗入到多孔ULK电介质材料(由此密封孔和增加其密度)。一旦导电材料(36)已经配置开口(30)并且通过化学机械抛光(CMP)背抛光后，完成的结构经受固化步骤以使ULK电介质层(16)的生孔剂材料(44)分解并蒸发，由此恢复电介质层(16)的多孔性(和低k值)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电介质 侧壁 密封 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路管芯上形成导电互连结构的方法，该方法包括：-提供多孔低k电介质材料层(16)，-除去所述电介质材料的选定部分以形成各个开口(30)，-在所述电介质材料上涂敷生孔剂材料(42)以使所述生孔剂材料(42)渗入到所述电介质材料中；-在所述开口(30)中提供导电材料(36)以形成所述互连，并且随后-进行固化步骤以从所述电介质材料(16)除去所述生孔剂材料(44)从而恢复所述电介质材料(16)的多孔性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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