[发明专利]气相沉积应用中使用的线圈和制造方法无效
| 申请号： | 200680009153.6 | 申请日： | 2006-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN101146928A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | E·李;N·特罗;R·普拉特;N·桑德 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;韦欣华 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了用在气相沉积系统中的线圈组件，包括：具有长度、高度、内边缘、外边缘和厚度的至少一个主线圈，其中主线圈的厚度按内边缘和外边缘之间的距离测量，和其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少20％。本文还描述了用在气相沉积系统中的一种线圈组件，包括：具有长度、高度、内边缘、外边缘和厚度的至少一个主线圈，其中主线圈的厚度按内边缘和外边缘之间的距离测量，和其中主线圈至少一部分的至少部分高度与参比线圈高度相比减少至少20％。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 应用 使用 线圈 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用在气相沉积系统中的线圈组件，包括：具有长度、高度、内边缘、外边缘和厚度的至少一个主线圈，其中主线圈的厚度按内边缘和外边缘之间的距离测量，和其中主线圈的至少部分厚度与参比线圈相比减少至少20％。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
