[发明专利]含钌膜的沉积方法有效
| 申请号： | 200680009175.2 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101223298A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | C·迪萨拉;J·伽蒂诺 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C07F17/02;C23C16/40;C07F15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有下式的含钌前体用于在基底上沉积含Ru膜的用途：(Rn－chd)Ru(CO)3其中，(Rn－chd)代表被n个取代基R取代的环己二烯(chd)配体，任何R位于chd配体的任意位置上；n是包括1至8的整数(1≤n≤8)，并代表chd配体上的取代基数；当R位于chd配体的8个可用位置的任一个上时，R选自由C1－C4直链或支链烷基、烷基酰胺、醇盐、烷基甲硅烷基酰胺、脒根、羰基和/或氟烷基组成的组，而对于chd环中不包含在双键中的C位置上的取代，R也可以是氧O。 | ||
| 搜索关键词： | 含钌膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.在基底上沉积含钌膜的方法，包括下列步骤：a)向反应器内提供至少一种基底；b)在所述反应器内加入至少一种具有下式的含钌前体：(Rn-chd)Ru(CO)3 其中，-(Rn-chd)代表被n个取代基R取代的一个环己二烯(chd)配体，任何R位于chd配体的任意位置上；-n是包括1至8的整数(1≤n≤8)，并代表chd配体上的取代基数；-当R位于chd配体的8个可用位置的任一个上时，R选自由C1-C4直链或支链烷基、烷基酰胺、醇盐、烷基甲硅烷基酰胺、脒根、羰基和/或氟烷基组成的组，而对于chd环中不包含在双键中的C位置上的取代，R也可以是氧O；-chd配体上未被取代的位置被H分子占据；c)于高于100℃的温度条件沉积所述至少一种含钌前体；d)在所述基底上沉积所述含金属的膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，未经乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680009175.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
