[发明专利]物品的处理无效
| 申请号： | 200680009540.X | 申请日： | 2006-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101151722A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 大卫·史蒂芬·托马斯;菲利普·格丽斯·本特利 | 申请（专利权）人： | 导电喷墨技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘晓东 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在物品的台阶状部分上形成材料斜坡的方法，包括在所述台阶状部分附近将液态材料施加到所述物品，所述液体具有使得液体通过毛细管引力移动到所述台阶状部分的性能，并且导致或允许所述材料固化以在所述台阶状部分上形成斜坡。通过利用毛细流动，材料不必非常精确地定位。可以通过流向台阶状区域流体来调节放置位置的变化。位置精度更大的耐受性意味着可以更迅速地进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 物品 处理 | ||
【主权项】：
1.一种在物品的台阶状部分上形成材料斜坡的方法，包括在所述台阶状部分附近将液态材料施加到所述物品上，所述液体具有使得液体通过毛细管引力移动到所述台阶状部分的性能，并且导致或允许所述材料固化以在所述台阶状部分上形成斜坡。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于导电喷墨技术有限公司，未经导电喷墨技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680009540.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双唑泰泡腾片及其制备工艺
- 下一篇：潜望镜式变焦镜头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
