[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200680009829.1 申请日: 2006-03-31
公开(公告)号: CN101151385A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 江良尚彦;深町一彦;桑垣宽 申请(专利权)人: 日矿金属株式会社
主分类号: C22C9/06 分类号: C22C9/06;C22F1/08;C22F1/00;H01L23/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 庞立志;李平英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供强度和导电性极大提高、具有优异特性的电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金。该电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金的特征是含有Ni:约0.5~约2.5质量%、Co:约0.5~约2.5质量%、和Si:约0.30~约1.2质量%,Cr:约0.09~约0.5质量%,其余部分由Cu和不可避免的杂质构成,该合金组成中的Ni和Co的合计量相对于Si的质量浓度比为:约4≤[Ni+Co]/Si≤约5,该合金组成中的Ni和Co的质量浓度比为:约0.5≤Ni/Co≤约2,对于分散在材料中的大小为1μm以上的夹杂物的个数(P)、其中的含碳浓度为10质量%以上的夹杂物的个数(Pc),Pc约为15个/1000μm2以下,且其比Pc/P≤约0.3以下。
搜索关键词: 电子 材料 cu ni si co cr 铜合金 及其 制造 方法
【主权项】:
1.电子材料用Cu-Ni-Si-Co-Cr系铜合金,其特征是含有Ni:约0.5~约2.5质量%、Co:约0.5~约2.5质量%、和Si:约0.30~约1.2质量%、Cr:约0.09~约0.5质量%,其余部分由Cu和不可避免的杂质构成,该合金组成中的Ni和Co的合计量相对于Si的质量浓度比([Ni+Co]/Si比)为:约4≤[Ni+Co]/Si≤约5,该合金组成中的Ni和Co的质量浓度比(Ni/Co比)为:约0.5≤Ni/Co≤约2,对于分散在材料中的大小为1μm以上的夹杂物的个数(P),其中的含碳浓度为10质量%以上的夹杂物的个数(Pc),Pc为约15个/1000μm2以下,且其比(Pc/P)为约0.3以下。
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