[发明专利]使用光致抗蚀剂掩模的蚀刻无效
| 申请号： | 200680010250.7 | 申请日： | 2006-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101151719A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | J·金;S·李;B·A·沃尔沙姆;R·查拉坦;S·M·R·萨亚迪 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;李丙林 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种蚀刻衬底上的介电层的方法。在介电层上形成光致抗蚀剂掩模。将衬底放入等离子体处理室中。向等离子体室提供含NF3的蚀刻气体。由NF3气体形成等离子体。通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF3气体形成的等离子体蚀刻介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 光致抗蚀剂掩模 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻衬底上的介电层的方法，包括：在介电层上形成光致抗蚀剂掩模；将衬底放入等离子体处理室中；向等离子体室内提供含有NF3的蚀刻气体；由NF3气体形成等离子体；以及通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF3气体形成的等离子体蚀刻介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
