[发明专利]变形硅晶片的表面检查方法和检查装置有效
| 申请号： | 200680010451.7 | 申请日： | 2006-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101151522A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 高野英明;清水美雪;仙田刚士;泉妻宏治;林义典;浜谷和彦 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社;科发伦材料株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;H01L21/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 变形硅晶片的表面检查方法和检查装置，构成为具备摄影步骤，在从光源装置(50)向旋转的变形硅晶片(10)表面照射光的环境下，相对变形硅晶片(10)的表面以规定的位置关系设置的摄像装置(30)，以可对变形硅晶片(10)中呈现的亮线进行摄影的摄像条件，在多个旋转角度位置的每个位置对变形硅晶片(10)表面进行摄影；和合成图像生成步骤，根据摄像装置(10)得到的多个旋转角度位置下的变形硅晶片(10)的表面图像，生成规定旋转角度位置下的合成图像。 | ||
| 搜索关键词： | 变形 晶片 表面 检查 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种变形硅晶片的表面检查方法，检查变形硅晶片的表层中产生的变形，其特征在于，具备如下工序：对上述变形硅晶片的表面进行照明的工序；在上述变形硅晶片表面被照明的环境下，在多个旋转角度位置，对旋转的上述变形硅晶片表面呈现的亮线进行摄像的工序；和根据在各旋转位置得到的变形硅晶片的表面图像，生成合成图像的工序。
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