[发明专利]低翘曲度、弯曲度和TTV的75毫米碳化硅晶片有效
| 申请号： | 200680010885.7 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101151402A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 艾德里安·鲍威尔;威廉·H.·布里克休斯;罗伯特·T.·里奥纳多;戴维斯·M.·麦克卢尔;迈克尔·P.·劳纳 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;B24B37/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种高质量的SiC单晶片。该晶片具有至少约3英寸的直径、小于约5μm的翘曲度、小于约5μm的弯曲度、以及小于约2.0μm的TTV。 | ||
| 搜索关键词： | 曲度 弯曲 ttv 75 毫米 碳化硅 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种高质量的SiC单晶片，该单晶片具有至少约75毫米(3英寸)的直径、小于约5μm的翘曲度、小于约5μm的弯曲度、以及小于约2.0μm的TTV。
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