[发明专利]成膜装置、成膜方法和记录介质无效
| 申请号： | 200680011266.X | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101156230A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 高桥毅;青山真太郎;品田敬宏;川上雅人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜装置，其特征在于，包括：在内部保持被处理基板的处理容器；第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第二气相原料，所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元与使所述第一气相原料和所述第二气相原料预备反应的预备反应单元连接，将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种成膜装置，其特征在于，包括：在内部保持被处理基板的处理容器；第一气体供给单元，向所述处理容器内供给由以叔丁氧基作为配体的烷氧基金属构成的第一气相原料；和第二气体供给单元，向所述处理容器内供给由烷氧基硅原料构成的第二气相原料，其中，所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元与使所述第一气相原料和所述第二气相原料预备反应的预备反应单元连接，将预备反应后的所述第一气相原料和所述第二气相原料供给至所述处理容器内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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