[发明专利]非接触型信息存储介质及其制造方法有效
申请号: | 200680011593.5 | 申请日: | 2006-09-19 |
公开(公告)号: | CN101156164A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 樱井大辅;吉野道朗 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077;G06K19/07;H01L21/60;H01Q1/38;H01Q9/26;H04B1/59;H04B5/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种非接触型信息存储介质,包括:至少具有存储信息的功能的半导体IC芯片(30),和形成有用于与外围设备进行信号的交换的天线方向图(14)的树脂基板(10);其中,设置在树脂基板(10)上的天线方向图(14)的一个端部上的天线端子(141)与IC芯片(30)的电极端子(22)以相对的方式进行安装,并且在天线方向图(14)与IC芯片(30)的电路形成面(20)之间设置有至少5μm的间隙限制用绝缘层(32)。 | ||
搜索关键词: | 接触 信息 存储 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非接触型信息存储介质,其特征在于,包括:具有存储信息、处理信号的功能的半导体IC芯片,和由具有热塑性的基体材料构成、形成有用于与外围设备进行信号的交换的天线方向图的树脂基板;其中,设置在所述树脂基板上的所述天线方向图的一个端部上的天线端子与所述半导体IC芯片的电极端子以相对的方式进行安装,并且在所述天线方向图与所述半导体IC芯片的电路形成面之间设置有至少5μm的间隙。
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