[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 200680011679.8 | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101156285A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 藏本恭介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所涉及的半导体发光元件具有：由氮化镓系化合物半导体构成的活性层；与活性层相比设置在p层一侧，由受到拉伸变形的Inx1Aly1Ga1－x1－y1N(0≤x1≤1、0≤y1≤1)构成的第1半导体层；由能带间隙比第1半导体层小的Inx2Aly2Ga1－x2－y2N(0≤x2≤1、0≤y2≤1)构成的第2半导体层；位于第1半导体层和第2半导体层之间，由能带间隙比第1半导体层的能带间隙小、比第2半导体层的能带间隙大的Inx3Aly3Ga1－x3－y3N(0≤x3≤1、0≤y3≤1)构成的第3半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征是具有：由氮化镓系化合物半导体构成的活性层；与上述活性层相比设置在p层一侧，由受到拉伸变形的Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1、0≤y1≤1)构成的第1半导体层；由能带间隙比上述第1半导体层小的Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(0≤x2≤1、0≤y2≤1)构成的第2半导体层；位于上述第1半导体层和上述第2半导体层之间，由能带间隙比上述第1半导体层的能带间隙小、比上述第2半导体层的能带间隙大的Inx3Aly3Ga1-x3-y3N(0≤x3≤1、0≤y3≤1)构成的第3半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680011679.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：摩托车的油电混合动力控制系统与方法
- 下一篇：制备环烷醇和/或环烷酮的方法
