[发明专利]背接触式太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及太阳能电池(1)及其制造方法，所述太阳能电池(1)包含在其背面上的发射极接触(43)和基极接触(45)，这两种接触(43，45)通过已经去除金属涂层的侧面(5)而彼此相互电隔离。电池背面(3)的发射区(4)通过沟道与电池正面(8)的发射极(9)连接。电池背面(3)的发射区(4)和沟道(7)由激光形成。侧壁的金属涂层通过选择性蚀刻而去除，所述金属涂层仅在蚀刻阻挡层(11)不足的侧面(5)的区域中被去除。

主权项

1.一种制造太阳能电池(1、12、26)的方法，包括以下步骤：-提供具有衬底正面(8、17)和衬底背面(3；14；28)的半导体衬底(2；13；27)；-在所述衬底背面(3；14；28)上形成第一(4)和第二区域(6；20；32)，其中，在每种情况下，所述各区域基本上相对于所述衬底正面(8；17)平行；和形成将所述第一区域(4；18)与所述第二区域(6；20；32)隔离的倾斜侧面(5；19；31)；-至少在所述衬底背面(3；14；28)的部分区域上沉积金属层(10；24；37)；-至少在第一金属层(10；24；37)的部分区域上沉积蚀刻阻挡层(11；25；38)，其中，所述蚀刻阻挡层(11；25；38)基本能够抵抗蚀刻所述金属层的蚀刻剂；-蚀刻至少部分区域中的所述金属层(10；24；37)，其中，所述倾斜侧面(5；19；31)上的所述金属层(10；24；37)基本上被去除。