[发明专利]高可靠性的蚀刻小面光子器件无效
| 申请号： | 200680012475.6 | 申请日： | 2006-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101160699A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | A·A·贝希尔 | 申请（专利权）人： | 宾奥普迪克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体光子器件表面被覆盖以电介质或金属保护层。保护层覆盖整个器件，包括在有源区小面附近的区域，以保护裸露或未经保护的半导体区，由此形成非常高可靠性蚀刻小面的光子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠性 蚀刻 光子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光子器件，包括：基板；包含有源层的至少第一外延半导体结构；制造于所述结构中的至少第一蚀刻小面；在所述结构上的至少第一电极；以及覆盖所述半导体结构在所述有源区处的所述小面的750nm范围内的所有表面的保护层。
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