[发明专利]芳族聚合物的制备方法有效

专利信息
申请号: 200680012492.X 申请日: 2006-02-15
公开(公告)号: CN101160345A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 横泽勉;大内一荣;洼田裕大;东村秀之 申请(专利权)人: 住友化学株式会社
主分类号: C08G85/00 分类号: C08G85/00;C08G61/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘冬;李平英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及芳族聚合物的制备方法,其特征在于:在含有下式(II)所示膦化合物的钯络合物存在下,使上式(I)所示芳族化合物进行缩聚。(I)(式(I)中,Ar是含芳环的双官能性有机基团,X是卤素原子、硝基或-SO3Q所示基团(Q表示可被取代的烃基),Y为氧原子、硫原子等,n为0或1,M为氢原子、-B(OQ1)2等,(Q1为氢原子或烃基));P(R1)3 (II)(式(II)中,R1为下式(III)所示基团或下式(IV)所示基团,三个R1可以相同也可以不同,但三个R1中的至少一个为下式(III)所示基团);-C(R2)3(III)(式(III)中,R2为氢原子或可被取代的烃基);(IV)(式(IV)中,R3~R7各自独立,表示氢原子、可被取代的烃基等)。
搜索关键词: 聚合物 制备 方法
【主权项】:
1.芳族聚合物的制备方法,其特征在于:在含有下式(II)所示膦化合物的钯络合物存在下,将下式(I)所示的芳族化合物进行缩聚:MYnAr-X(I)式中,Ar是含有芳环的双官能性有机基团,X是卤素原子、硝基或-SO3Q所示的基团,其中Q表示可被取代的烃基,Y是氧原子、硫原子、亚氨基、取代亚氨基、亚乙烯基、取代亚乙烯基或亚乙炔基,n为0或1,M表示氢原子、-B(OQ1)2、-Si(Q2)3、-Sn(Q3)3或Z1(Z2)m,其中Q1为氢原子或烃基,两个Q1可以相同也可以不同,可以形成环,Q2为烃基,三个Q2可以相同也可以不同,Q3为烃基,三个Q3可以相同也可以不同,Z1为金属原子或金属离子,Z2为抗衡阴离子,m为0以上的整数;P(R1)3    (II)式中,R1为下式(III)所示的基团或下式(IV)所示的基团,三个R1可以相同也可以不同,但三个R1中的至少一个为下式(III)所示的基团;-C(R2)3    (III)式中,R2为氢原子或可被取代的烃基,三个R2可以相同也可以不同,两个R2可以一起形成环,两个以上的R2不为氢原子;式中,R3~R7各自独立,表示氢原子、可被取代的烃基、烃氧基、烃二取代氨基、烃巯基、烃羰基、烃氧基羰基、烃二取代氨基羰基或烃磺酰基,R3或R4中的至少一个不为氢原子,R3和R5、R5和R7、R4和R6以及R6和R7可以分别一起形成环。
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