[发明专利]含有半导体纳米晶体的发光器件在审
| 申请号： | 200680012547.7 | 申请日： | 2006-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101213681A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 芒吉·G·巴温迪;弗拉迪米尔·布洛维克;塞思·科－沙利文;让－米歇尔·卡鲁奇;乔纳森·斯特克尔;亚历克西·阿兰戈;乔纳森·E·哈尔珀特 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发光器件包括多个半导体纳米晶体和包含无机材料的电荷传输层。电荷传输层可以是空穴或电子传输层。无机材料可以是无机半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 半导体 纳米 晶体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.发光器件，包括：包括第一无机材料的第一电荷传输层，其与第一电极接触，该第一电极被布置以在该第一电荷传输层中引入电荷；第二电极；和布置在该第一电极和第二电极之间的多个半导体纳米晶体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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